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JAN1N6130AUS

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6130AUS
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 76V 137.6V B SQ-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6130AUS.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    76V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    137.6V
  • Tensione - ripartizione (min)
    95V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    B, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    500W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, B
  • Altri nomi
    1086-2216
    1086-2216-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    3.6A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

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Spedizione
Pagamento
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JAN1N6128AUS

JAN1N6128AUS

Descrizione: TVS DIODE 62.2V 112.8V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6130A

JAN1N6130A

Descrizione: TVS DIODE 76VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N6129

JAN1N6129

Descrizione: TVS DIODE 69.2V 131.36V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6130

JAN1N6130

Descrizione: TVS DIODE 76V 144.48V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6130US

JAN1N6130US

Descrizione: TVS DIODE 76V 144.48V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6131AUS

JAN1N6131AUS

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 151.3V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6133

JAN1N6133

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6132A

JAN1N6132A

Descrizione: TVS DIODE 91.2VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
RFQ
JAN1N6129A

JAN1N6129A

Descrizione: TVS DIODE 69.2V 125.1V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6129AUS

JAN1N6129AUS

Descrizione: TVS DIODE 69.2V 125.1V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6129US

JAN1N6129US

Descrizione: TVS DIODE 69.2V 131.36V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6132AUS

JAN1N6132AUS

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 165.1V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6131

JAN1N6131

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 158.87V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6128

JAN1N6128

Descrizione: TVS DIODE 62.2V 118.44V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6128A

JAN1N6128A

Descrizione: TVS DIODE 62.2VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
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JAN1N6132US

JAN1N6132US

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N6131A

JAN1N6131A

Descrizione: TVS DIODE 86.6VWM BPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
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JAN1N6128US

JAN1N6128US

Descrizione: TVS DIODE 62.2VWM BPKG SMD

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
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JAN1N6132

JAN1N6132

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 173.36V AXIAL

Produttori: Microsemi
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JAN1N6131US

JAN1N6131US

Descrizione: TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
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