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JAN1N6167US

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6167US
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 86.6V 158.87V SQ-MELF
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6167US.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    86.6V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    158.87V
  • Tensione - ripartizione (min)
    99.28V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    C, SQ-MELF
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    1500W (1.5kW)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    SQ-MELF, C
  • Altri nomi
    1086-19766
    1086-19766-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    9.41A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose

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Descrizione: TVS DIODE 69.2V 125.1V C SQ-MELF

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Descrizione: TVS DIODE 86.6VWM CPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

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Descrizione: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

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Descrizione: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Produttori: Microsemi Corporation
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Descrizione: TVS DIODE 76V 144.48V C SQ-MELF

Produttori: Microsemi
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