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Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > JAN1N6171
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Italia
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JAN1N6171

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6171
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 121.6V 229.32V C AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    121.6V
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    229.32V
  • Tensione - ripartizione (min)
    144.4V
  • Digitare
    Zener
  • Contenitore dispositivo fornitore
    C, Axial
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Protezione della linea di alimentazione
    No
  • Potenza - Pulsante di picco
    1500W (1.5kW)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    Axial
  • Altri nomi
    1086-19790
    1086-19790-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    6.56A
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    1
  • applicazioni
    General Purpose
JAN1N6169US

JAN1N6169US

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6171A

JAN1N6171A

Descrizione: TVS DIODE 121.6VWM CPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6169A

JAN1N6169A

Descrizione: TVS DIODE 98.8VWM CPKG AXIAL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6172US

JAN1N6172US

Descrizione: TVS DIODE 136.8V 257.99V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6173AUS

JAN1N6173AUS

Descrizione: TVS DIODE 152V 273V C SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6170A

JAN1N6170A

Descrizione: TVS DIODE 114V 206.3V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6170AUS

JAN1N6170AUS

Descrizione: TVS DIODE 114V 206.3V C SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6169

JAN1N6169

Descrizione: TVS DIODE 98.8V 187.74V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6171AUS

JAN1N6171AUS

Descrizione: TVS DIODE 121.6V 218.4V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6173A

JAN1N6173A

Descrizione: TVS DIODE 152VWM 273VC CPKG AXL

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6170

JAN1N6170

Descrizione: TVS DIODE 114V 216.62V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6168US

JAN1N6168US

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 173.36V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6170US

JAN1N6170US

Descrizione: TVS DIODE 114V 216.62V C SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6172

JAN1N6172

Descrizione: TVS DIODE 136.8V 257.99V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6169AUS

JAN1N6169AUS

Descrizione: TVS DIODE 98.8VWM 178.8VC CPKG

Produttori: Microsemi Corporation
In magazzino
JAN1N6172AUS

JAN1N6172AUS

Descrizione: TVS DIODE 136.8V 245.7V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6168AUS

JAN1N6168AUS

Descrizione: TVS DIODE 91.2V 165.1V C SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6173

JAN1N6173

Descrizione: TVS DIODE 152V 286.65V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6171US

JAN1N6171US

Descrizione: TVS DIODE 121.6V 229.32V SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6172A

JAN1N6172A

Descrizione: TVS DIODE 136.8V 245.7V C AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino

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