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Casa > Centro di prodotti > Protezione del circuito > Televisori-diodi > JAN1N6470
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3945011Immagine JAN1N6470.Microsemi Corporation

JAN1N6470

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6470
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN1N6470.pdf
  • Tensione - interdizione inversa (tip)
    1
  • Tensione - bloccaggio (max) @ Ipp
    6.5V
  • Tensione - ripartizione (min)
    6V
  • Tensione - Ripartizione
    Axial
  • Digitare
    Zener
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Corrente di ondulazione - bassa frequenza
    General Purpose
  • Protezione della linea di alimentazione
    1500W (1.5kW)
  • Potenza - Pulsante di picco
    775A (8/20µs)
  • Polarizzazione
    G, Axial
  • Altri nomi
    1086-2284
    1086-2284-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • codice articolo del costruttore
    JAN1N6470
  • Descrizione
    TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL
  • Corrente - Pulsante di picco (10 / 1000μs)
    11V
  • Capacità @ Frequenza
    -
  • Canali bidirezionali
    No

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Spedizione
Pagamento
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JAN1N6471

JAN1N6471

Descrizione: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Descrizione: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Descrizione: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6467US

JAN1N6467US

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6469US

JAN1N6469US

Descrizione: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Descrizione: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6465US

JAN1N6465US

Descrizione: TVS DIODE 24V 41.4V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Descrizione: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

Descrizione: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

Descrizione: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6467

JAN1N6467

Descrizione: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

Descrizione: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Descrizione: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6470US

JAN1N6470US

Descrizione: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
JAN1N6466

JAN1N6466

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N647-1

JAN1N647-1

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Produttori: Microsemi
In magazzino
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JAN1N6466US

JAN1N6466US

Descrizione: TVS DIODE 30.5V 47.5V B SQ-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
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