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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > JAN1N6638
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Italia
Italia
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JAN1N6638

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN1N6638
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
  • Tensione - Picco inversa (max)
    Standard
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    300mA
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/578
  • Stato RoHS
    Bulk
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Resistenza a If, F
    2.5pF @ 0V, 1MHz
  • Polarizzazione
    D, Axial
  • Altri nomi
    1086-20004
    1086-20004-MIL
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    20ns
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Livello di sensibilità umidità (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    10 Weeks
  • codice articolo del costruttore
    JAN1N6638
  • Descrizione espansione
    Diode Standard 150V 300mA Through Hole
  • Configurazione diodo
    500nA @ 150V
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    1.1V @ 200mA
  • Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo)
    150V
  • Capacità a Vr, F
    -65°C ~ 175°C
JAN1N6630

JAN1N6630

Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6629

JAN1N6629

Descrizione: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Descrizione: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6640US

JAN1N6640US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6642

JAN1N6642

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Descrizione: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6641

JAN1N6641

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6639

JAN1N6639

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6640

JAN1N6640

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6631

JAN1N6631

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6629US

JAN1N6629US

Descrizione: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Descrizione: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Descrizione: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Descrizione: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Produttori: Microsemi
In magazzino
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Produttori: Microsemi
In magazzino

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