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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N1613
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JAN2N1613

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N1613
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 30V 0.5A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N1613.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 15mA, 150mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-39 (TO-205AD)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/181
  • Potenza - Max
    800mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Altri nomi
    1086-16077
    1086-16077-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 500mA 800mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    40 @ 150mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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