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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N1486
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JAN2N1486

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N1486
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 55V 3A
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N1486.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    55V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    750mV @ 40mA, 750mA
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-8
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/207
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-233AA, TO-8-3 Lens Top Metal Can
  • Altri nomi
    1086-16075
    1086-16075-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 55V 3A 1.75W Through Hole TO-8
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    35 @ 750mA, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    15µA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    3A

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Produttori: Microsemi
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Descrizione: DIODE ZENER 110V 500MW DO213AA

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Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS NPN 40V 6A

Produttori: Microsemi
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Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS NPN 30V 0.5A TO-39

Produttori: Microsemi
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Descrizione: TRANS NPN 50V 0.8A TO5

Produttori: Microsemi
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