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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N5012
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JAN2N5012

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N5012
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    NPN TRANSISTOR
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    RoHS non conforme
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    700V
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-5
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/727
  • Stato RoHS
    RoHS non-compliant
  • Potenza - Max
    1W
  • Contenitore / involucro
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 700V 200mA 1W Through Hole TO-5
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 25mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10nA (ICBO)
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    200mA

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