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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-RF > JAN2N4957UB
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JAN2N4957UB

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N4957UB
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP 30V 30MA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N4957UB.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    30V
  • Tipo transistor
    PNP
  • Contenitore dispositivo fornitore
    UB
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    200mW
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    3-SMD, No Lead
  • Altri nomi
    1086-20995
    1086-20995-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Di rumore (dB tip @ f)
    3.5dB @ 450MHz
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    23 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Guadagno
    25dB
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 5mA, 10V
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    30mA

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