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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N5339
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JAN2N5339

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N5339
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 100V 5A TO39
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N5339.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.2V @ 500mA, 5A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-39 (TO-205AD)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/560
  • Potenza - Max
    1W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Altri nomi
    1086-21044
    1086-21044-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    22 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 1W Through Hole TO-39 (TO-205AD)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    60 @ 2A, 2V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    5A

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