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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JAN2N6287
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JAN2N6287

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JAN2N6287
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PNP DARL 100V 20A TO-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JAN2N6287.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 200mA, 20A
  • Tipo transistor
    PNP - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-204AA (TO-3)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/505
  • Potenza - Max
    175W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-204AA, TO-3
  • Altri nomi
    1086-21098
    1086-21098-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    22 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 20A 175W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1250 @ 10A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    20A

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