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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JANTXV2N6059
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JANTXV2N6059

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV2N6059
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV2N6059.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    3V @ 120mA, 12A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3 (TO-204AA)
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/502
  • Potenza - Max
    150W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-3
  • Altri nomi
    1086-21085
    1086-21085-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    20 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-3 (TO-204AA)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 6A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    12A

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