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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo > JANTXV2N6251T1
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JANTXV2N6251T1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV2N6251T1
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN 350V 10A TO-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV2N6251T1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    350V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    1.5V @ 1.67A, 10A
  • Tipo transistor
    NPN
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-254AA
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/510
  • Potenza - Max
    6W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
  • Altri nomi
    1086-16193
    1086-16193-MIL
  • temperatura di esercizio
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 10A 6W Through Hole TO-254AA
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    6 @ 10A, 3V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1mA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    10A

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