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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > JANTXV2N6766T1
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JANTXV2N6766T1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    JANTXV2N6766T1
  • Costruttore / Marca
    Microsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Contiene piombo / RoHS non conforme
  • Specifiche
    JANTXV2N6766T1.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-254AA
  • Serie
    Military, MIL-PRF-19500/543
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    90 mOhm @ 30A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    4W (Ta), 150W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
  • Altri nomi
    JANTXV2N6766T1-MIL
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    115nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    200V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 200V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-254AA
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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