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PDTD113ES,126

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTD113ES,126
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PDTD113ES,126.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-92-3
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    1 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potenza - Max
    500mW
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Altri nomi
    934059141126
    PDTD113ES AMO
    PDTD113ES AMO-ND
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    33 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
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