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4075428Immagine PDTD113ZT,215.Nexperia

PDTD113ZT,215

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTD113ZT,215
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PDTD113ZT,215.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-236AB (SOT23)
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Potenza - Max
    250mW
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    1727-6281-6
    568-8098-6
    568-8098-6-ND
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA
  • Numero di parte base
    PDTD113

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09/10/2024
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