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5833679Immagine PHU11NQ10T,127.NXP Semiconductors / Freescale

PHU11NQ10T,127

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHU11NQ10T,127
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V 10.9A SOT533
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PHU11NQ10T,127.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    I-PAK
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    180 mOhm @ 9A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    57.7W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    934056349127
    PHU11NQ10T
    PHU11NQ10T-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    360pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    14.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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Spedizione
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