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6211281Immagine SI3451DV-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI3451DV-T1-GE3

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SI3451DV-T1-GE3
  • Costruttore / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 2.8A 6-TSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SI3451DV-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSOP
  • Serie
    TrenchFET®
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    115 mOhm @ 2.6A, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    5.1nC @ 5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1.25W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
In magazzino
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Descrizione: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: IC POE PSE PORT CTLR QUAD 40QFN

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Descrizione: MOSFET P-CH 8V 4.4A 6-TSOP

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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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Descrizione: IC POE CONTROLLER MIDSPAN 40QFN

Produttori: Energy Micro (Silicon Labs)
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Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
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