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PMWD19UN,518

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMWD19UN,518
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMWD19UN,518.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    23 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    2.3W
  • imballaggio
    Original-Reel®
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    568-2361-6
    PMWD19UN518
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1478pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.6A 2.3W Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    5.6A

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Spedizione
Pagamento
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