Per i visitatori di Electronica 2024

Prenota il tuo tempo adesso!

Tutto ciò che serve sono pochi clic per prenotare il tuo posto e ottenere il biglietto stand

Hall C5 Booth 220

Registrazione anticipata

Per i visitatori di Electronica 2024
Siete tutti iscritti! Grazie per aver preso un appuntamento!
Ti invieremo i biglietti per cabine via e -mail una volta verificata la prenotazione.
Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > PMWD16UN,518
RFQs/ORDINE (0)
Italia
Italia
1022096

PMWD16UN,518

Richiesta di offerta online

Completa tutti i campi richiesti con le informazioni di contatto. Fai clic "Invia RFQ" Ti contatteremo a breve tramite e -mail.O inviaci un'e -mail:info@ftcelectronics.com
Richiesta online
Specifiche
  • Modello di prodotti
    PMWD16UN,518
  • Costruttore / Marca
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PMWD16UN,518.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    700mV @ 1mA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-TSSOP
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    19 mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Potenza - Max
    3.1W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Altri nomi
    568-2360-2
    934057596518
    PMWD16UN /T3
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1366pF @ 16V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    23.6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.9A 3.1W Surface Mount 8-TSSOP
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    9.9A

NXP Launches i.MX RT700 Crossover MCU for AI-Powered Edge D...

08/10/2024

NXP Unveils MC33777 Battery Junction Box IC for EV Safety a...

26/09/2024
Spedizione
Pagamento
Di seguito sono riportati prodotti correlati "PMWD16UN,518".
PMWD30UN,518

PMWD30UN,518

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
2N7002DWQ-7-F

2N7002DWQ-7-F

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363

Produttori: Diodes Incorporated
In magazzino
RFQ
NTTFS5C471NLTAG

NTTFS5C471NLTAG

Descrizione: AFSM T6 40V LL U8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
PMWD15UN,518

PMWD15UN,518

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
PMWD20XN,118

PMWD20XN,118

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
NVMFD5875NLWFT3G

NVMFD5875NLWFT3G

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
PMWD26UN,518

PMWD26UN,518

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
AO4828

AO4828

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC

Produttori: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
In magazzino
RFQ
SQS944ENW-T1_GE3

SQS944ENW-T1_GE3

Descrizione: MOSFET N-CHAN 40V

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
IRF7351TRPBF

IRF7351TRPBF

Descrizione: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
EFC6612R-A-TF

EFC6612R-A-TF

Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 23A EFCP

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
ALD111933SAL

ALD111933SAL

Descrizione: MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC

Produttori: Advanced Linear Devices, Inc.
In magazzino
RFQ
SI1965DH-T1-GE3

SI1965DH-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
FDC6561AN

FDC6561AN

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

Produttori: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
In magazzino
RFQ
APTM100AM90FG

APTM100AM90FG

Descrizione: MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
94-3449

94-3449

Descrizione: MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC

Produttori: International Rectifier (Infineon Technologies)
In magazzino
RFQ
PMWD19UN,518

PMWD19UN,518

Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Produttori: NXP Semiconductors / Freescale
In magazzino
RFQ
SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

Descrizione: MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Produttori: Electro-Films (EFI) / Vishay
In magazzino
RFQ
APTM100H45SCTG

APTM100H45SCTG

Descrizione: MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
APTC60HM24T3G

APTC60HM24T3G

Descrizione: MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3

Produttori: Microsemi
In magazzino
RFQ
Come unico distributore di mercato aperto pubblico, possediamo una combinazione unica di accesso globale, competenza del settore manifatturiero e qualità comprovata.Con questo, possiamo creare soluzioni personalizzate per la catena di fornitura end-to-end per i componenti elettronici di approvvigionamento e gestione dell'inventario.
Seguirci su
Termini & CondizioniPolitica di violazioneRichiedi un preventivoChi siamoContattaciMappa del sito

Seleziona la lingua

Fai clic sullo spazio per uscire

Lingua corrente

Scegli il tuo paese o regione.