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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUK9Y113-100E,115
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4802514Immagine BUK9Y113-100E,115.Nexperia

BUK9Y113-100E,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK9Y113-100E,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 100V LFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUK9Y113-100E,115.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    110 mOhm @ 5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    45W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Altri nomi
    1727-1854-1
    568-11545-1
    568-11545-1-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    870pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    8.4nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 100V 12A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

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09/10/2024
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