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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > BUK9Y14-80E,115
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1249020Immagine BUK9Y14-80E,115.Nexperia

BUK9Y14-80E,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    BUK9Y14-80E,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 80V LFPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    BUK9Y14-80E,115.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    LFPAK56, Power-SO8
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    14 mOhm @ 15A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    147W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    SC-100, SOT-669, 4-LFPAK
  • Altri nomi
    1727-1810-2
    568-11424-2
    568-11424-2-ND
    934067029115
    BUK9Y14-80E,115-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    4640pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    28.9nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    80V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 80V 62A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    62A (Tc)

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09/10/2024
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