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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTD114EQAZ
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3463013Immagine PDTD114EQAZ.Nexperia

PDTD114EQAZ

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PDTD114EQAZ
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS NPN 3DFN
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PDTD114EQAZ.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    100mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DFN1010D-3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potenza - Max
    325mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    3-XDFN Exposed Pad
  • Altri nomi
    934069269147
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    8 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    210MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 210MHz 325mW Surface Mount DFN1010D-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    70 @ 50mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    500mA

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09/10/2024
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