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PHK13N03LT,518

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHK13N03LT,518
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 30V 13.8A 8-SOIC
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PHK13N03LT,518.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    6.25W (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    934057754518
    PHK13N03LT /T3
    PHK13N03LT /T3-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    752pF @ 15V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    10.7nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 30V 13.8A (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    13.8A (Tc)

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09/10/2024
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Pagamento
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