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PHKD6N02LT,518

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PHKD6N02LT,518
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PHKD6N02LT,518.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    1.5V @ 250µA
  • Contenitore dispositivo fornitore
    8-SO
  • Serie
    TrenchMOS™
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    20 mOhm @ 3A, 5V
  • Potenza - Max
    4.17W
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Altri nomi
    934056831518
    PHKD6N02LT /T3
    PHKD6N02LT /T3-ND
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    2 (1 Year)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    950pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    15.3nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Caratteristica FET
    Logic Level Gate
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 10.9A 4.17W Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    10.9A

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09/10/2024
Spedizione
Pagamento
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