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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > PUMH10Z
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116991Immagine PUMH10Z.Nexperia

PUMH10Z

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PUMH10Z
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    PUMH10/SOT363/SC-88
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
  • Specifiche
    PUMH10Z.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-363
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    934056189165
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Frequenza - transizione
    230MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230MHz 300mW Surface Mount SOT-363
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 10mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    100nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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09/10/2024
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

Produttori: Nexperia
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

Produttori: Nexperia
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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

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Descrizione: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP

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Descrizione: TRANS RET SC-88

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