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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-matrici, pre-polarizzato > PUMH16,115
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1592272Immagine PUMH16,115.Nexperia

PUMH16,115

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    PUMH16,115
  • Costruttore / Marca
    Nexperia
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    PUMH16,115.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 10mA
  • Tipo transistor
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    6-TSSOP
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    22 kOhms
  • Potenza - Max
    300mW
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    1727-1740-2
    568-11283-2
    568-11283-2-ND
    934057897115
    PUMH16 T/R
    PUMH16 T/R-ND
    PUMH16,115-ND
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount 6-TSSOP
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 5mA, 5V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    1µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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09/10/2024
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