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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > XP0NG8A00L
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XP0NG8A00L

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    XP0NG8A00L
  • Costruttore / Marca
    Panasonic
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS PREBIAS PNP 0.15W SMINI6
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    XP0NG8A00L.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    50V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased + Diode
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SMINI6-G1
  • Serie
    -
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Potenza - Max
    150mW
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Altri nomi
    XP0NG8A00LCT
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    80MHz
  • Descrizione dettagliata
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50V 100mA 80MHz 150mW Surface Mount SMINI6-G1
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 10V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    500nA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    100mA

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