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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > R6012225XXYA
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R6012225XXYA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6012225XXYA
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.5V @ 800A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    2200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-205AB, DO-9
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    11µs
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -65°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 2200V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    50mA @ 2200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    250A
  • Capacità a Vr, F
    -
R6011825XXYA

R6011825XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6011625XXYA

R6011625XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6012ANX

R6012ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6011630XXYA

R6011630XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6015ANX

R6015ANX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6011ENJTL

R6011ENJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6011KNX

R6011KNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6011KNJTL

R6011KNJTL

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO263

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015ANJTL

R6015ANJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6015ANZC8

R6015ANZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6011830XXYA

R6011830XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6012025XXYA

R6012025XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6012FNJTL

R6012FNJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A LPT

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6012FNX

R6012FNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6012ANJTL

R6012ANJTL

Descrizione: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6013-00

R6013-00

Descrizione: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"

Produttori: Harwin
In magazzino
R6012425XXYA

R6012425XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6011ENX

R6011ENX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6012625XXYA

R6012625XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6012030XXYA

R6012030XXYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino

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