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5734729Immagine R6011KNX.LAPIS Semiconductor

R6011KNX

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6011KNX
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R6011KNX.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220FM
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    390 mOhm @ 3.8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    53W (Tc)
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    740pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    22nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    Schottky Diode (Isolated)
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 11A (Tc) 53W (Tc) Through Hole TO-220FM
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205

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Descrizione: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205

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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 11A LPT

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