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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > R6030835ESYA
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R6030835ESYA

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6030835ESYA
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.5V @ 800A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    800V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    DO-205AB, DO-9
  • Velocità
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    2µs
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -45°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Chassis, Stud Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 800V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    50mA @ 800V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    350A
  • Capacità a Vr, F
    -
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030ENX

R6030ENX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030KNX

R6030KNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030425HSYA

R6030425HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030MNX

R6030MNX

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030KNZ1C9

R6030KNZ1C9

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
In magazzino
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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