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1707083Immagine R6030ENZ1C9.LAPIS Semiconductor

R6030ENZ1C9

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R6030ENZ1C9
  • Costruttore / Marca
    LAPIS Technology
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R6030ENZ1C9.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-247
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    130 mOhm @ 14.5A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    120W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    17 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    2100pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 30A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

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In magazzino
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Produttori: LAPIS Semiconductor
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Produttori: LAPIS Semiconductor
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Descrizione: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Produttori: Powerex, Inc.
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Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Produttori: LAPIS Semiconductor
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R6030622PSYA

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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R6030435ESYA

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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R6030425HSYA

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB

Produttori: Powerex, Inc.
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