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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2SJ162-E
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5790116Immagine 2SJ162-E.Renesas Electronics America

2SJ162-E

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SJ162-E
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    2SJ162-E.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    -
  • Vgs (Max)
    ±15V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3P
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    -
  • Dissipazione di potenza (max)
    100W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-3P-3, SC-65-3
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    900pF @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    160V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 160V 7A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
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