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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > 2SJ380(F)
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413833Immagine 2SJ380(F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ380(F)

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    2SJ380(F)
  • Costruttore / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    1.2SJ380(F).pdf
    2.2SJ380(F).pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220NIS
  • Serie
    -
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    35W (Tc)
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-220-3 Full Pack
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1100pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    100V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 100V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220NIS
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    12A (Ta)

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