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Casa > Centro di prodotti > Circuiti integrati (ICS) > Memoria > R1WV6416RSD-5SI#B0
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1956537Immagine R1WV6416RSD-5SI#B0.Renesas Electronics America

R1WV6416RSD-5SI#B0

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    R1WV6416RSD-5SI#B0
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP,
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    R1WV6416RSD-5SI#B0.pdf
  • Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina
    55ns
  • Tensione di alimentazione -
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Tecnologia
    SRAM
  • Contenitore dispositivo fornitore
    52-TSOP II
  • Serie
    -
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
  • temperatura di esercizio
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tipo di memoria
    Volatile
  • Dimensione della memoria
    64Mb (8M x 8, 4M x 16)
  • Interfaccia di memoria
    Parallel
  • Formato di memoria
    SRAM
  • Produttore tempi di consegna standard
    18 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrizione dettagliata
    SRAM Memory IC 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Parallel 55ns 52-TSOP II
  • Tempo di accesso
    55ns

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