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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > RJP60F5DPM-00#T1
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4612085Immagine RJP60F5DPM-00#T1.Renesas Electronics America

RJP60F5DPM-00#T1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RJP60F5DPM-00#T1
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT 600V 80A 45W TO-3PFM
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RJP60F5DPM-00#T1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    600V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 5 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    53ns/90ns
  • di scambio energetico
    -
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PFM
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    45W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-3PFM, SC-93-3
  • Altri nomi
    RJP60F5DPM00T1
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench
  • carica gate
    74nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench 600V 80A 45W Through Hole TO-3PFM
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    80A
  • Numero di parte base
    RJP60F

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