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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistori-IGBTs-singolo > RJP65T54DPM-A0#T2
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RJP65T54DPM-A0#T2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RJP65T54DPM-A0#T2
  • Costruttore / Marca
    Renesas Electronics Corporation
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    IGBT TRENCH 650V 60A TO-3PFP
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    RJP65T54DPM-A0#T2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.68V @ 15V, 30A
  • Condizione di test
    400V, 30A, 10 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    35ns/120ns
  • di scambio energetico
    330µJ (on), 760µJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-3PFP
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    63.5W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    SC-94
  • temperatura di esercizio
    175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    Trench
  • carica gate
    72nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT Trench 650V 60A 63.5W Through Hole TO-3PFP
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    60A

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