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5924264Immagine MJD122-1.STMicroelectronics

MJD122-1

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJD122-1
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJD122-1.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-251-3
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    20W
  • imballaggio
    Bulk
  • Contenitore / involucro
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Altri nomi
    497-16183
    MJD122-1-ND
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 20W Through Hole TO-251-3
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A
  • Numero di parte base
    MJD122

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27/09/2024
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