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3610990Immagine MJD122TF.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

MJD122TF

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    MJD122TF
  • Costruttore / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    MJD122TF.pdf
  • Modello ECAD
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    100V
  • Vce saturazione (max) a Ib, Ic
    4V @ 80mA, 8A
  • Tipo transistor
    NPN - Darlington
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D-Pak
  • Serie
    -
  • Potenza - Max
    1.75W
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Altri nomi
    MJD122TFCT
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    13 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenza - transizione
    -
  • Descrizione dettagliata
    Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 1.75W Surface Mount D-Pak
  • Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce
    1000 @ 4A, 4V
  • Corrente - Cutoff collettore (max)
    10µA
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    8A
  • Numero di parte base
    MJD122

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