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1152735Immagine STGYA120M65DF2.STMicroelectronics

STGYA120M65DF2

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STGYA120M65DF2
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STGYA120M65DF2.pdf
  • Tensione - rottura collettore-emettitore (max)
    650V
  • Vce (on) (max) a VGE, Ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • Condizione di test
    400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
  • Td (on / off) @ 25 ° C
    66ns/185ns
  • di scambio energetico
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    MAX247™
  • Serie
    *
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    202ns
  • Potenza - Max
    625W
  • imballaggio
    Tube
  • Contenitore / involucro
    TO-247-3 Exposed Pad
  • Altri nomi
    497-16976
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo di ingresso
    Standard
  • Tipo IGBT
    NPT, Trench Field Stop
  • carica gate
    420nC
  • Descrizione dettagliata
    IGBT NPT, Trench Field Stop 650V 160A 625W Through Hole MAX247™
  • Corrente - collettore Pulsed (Icm)
    360A
  • Corrente - collettore (Ic) (max)
    160A

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27/09/2024
Spedizione
Pagamento
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Produttori: STMicroelectronics
In magazzino
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