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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > STL25N60M2-EP
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6755598Immagine STL25N60M2-EP.STMicroelectronics

STL25N60M2-EP

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STL25N60M2-EP
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STL25N60M2-EP.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    4.75V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    PowerFlat™ (8x8) HV
  • Serie
    MDmesh™ M2-EP
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    205 mOhm @ 8A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    125W (Tc)
  • imballaggio
    Cut Tape (CT)
  • Contenitore / involucro
    8-PowerVDFN
  • Altri nomi
    497-16249-1
  • temperatura di esercizio
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Produttore tempi di consegna standard
    42 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    1090pF @ 100V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    600V
  • Descrizione dettagliata
    N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    16A (Tc)

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27/09/2024
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