STL30N10F7

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Specifiche

Modello di prodotti

STL30N10F7
Costruttore / Marca

STMicroelectronics
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

MOSFET N-CH 100V 8A POWERFLAT
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

STL30N10F7.pdf
Modello ECAD
Vgs (th) (max) a Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore

PowerFlat™ (5x6)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VII
Rds On (max) a Id, Vgs

35 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max)

75W (Tc)
imballaggio

Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro

8-PowerVDFN
Altri nomi

497-14540-2
STL30N10F7-ND
temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio

Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

38 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

920pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Caratteristica FET

-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Tensione drain-source (Vdss)

100V
Descrizione dettagliata

N-Channel 100V 30A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Notizie correlate
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STL285N4F7AG

Descrizione: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Produttori: STMicroelectronics

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