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5710981Immagine STR1P2UH7.STMicroelectronics

STR1P2UH7

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STR1P2UH7
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STR1P2UH7.pdf
  • Modello ECAD
  • Vgs (th) (max) a Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23
  • Serie
    STripFET™ H7
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    100 mOhm @ 700mA, 4.5V
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    497-15519-2
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    510pF @ 10V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    4.8nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    20V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 20V 1.4A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)

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27/09/2024
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