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1611522Immagine STR2P3LLH6.STMicroelectronics

STR2P3LLH6

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    STR2P3LLH6
  • Costruttore / Marca
    STMicroelectronics
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    STR2P3LLH6.pdf
  • Vgs (th) (max) a Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Contenitore dispositivo fornitore
    SOT-23
  • Serie
    STripFET™ H6
  • Rds On (max) a Id, Vgs
    56 mOhm @ 1A, 10V
  • Dissipazione di potenza (max)
    350mW (Tc)
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Altri nomi
    497-15520-2
  • temperatura di esercizio
    150°C (TJ)
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    38 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
    639pF @ 25V
  • Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    P-Channel
  • Caratteristica FET
    -
  • Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Tensione drain-source (Vdss)
    30V
  • Descrizione dettagliata
    P-Channel 30V 2A (Ta) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23
  • Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

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27/09/2024
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