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SICRB6650TR

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SICRB6650TR
  • Costruttore / Marca
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SICRB6650TR.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.8V @ 6A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    D2PAK
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 6A Surface Mount D2PAK
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    50µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    6A
  • Capacità a Vr, F
    150pF @ 5V, 1MHz

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