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387001Immagine SICR10650.Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions

SICR10650

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    SICR10650
  • Costruttore / Marca
    Sangdest Microelectronics / Nanjing (SMC Diode Solutions)
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    SICR10650.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.7V @ 10A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    650V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TO-220AC
  • Velocità
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    0ns
  • Contenitore / involucro
    TO-220-2
  • Altri nomi
    1655-1953
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 175°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Silicon Carbide Schottky
  • Descrizione dettagliata
    Diode Silicon Carbide Schottky 650V 10A Through Hole TO-220AC
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    100µA @ 650V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    10A
  • Capacità a Vr, F
    695pF @ 0V, 1MHz

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