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F1T3GHA1G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    F1T3GHA1G
  • Costruttore / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
    F1T3GHA1G.pdf
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 1A
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TS-1
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    150ns
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    T-18, Axial
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    12 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 1A Through Hole TS-1
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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