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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Diodi-raddrizzatori-singolo > F1T7G A0G
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F1T7G A0G

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    F1T7G A0G
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 1A TS-1
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 1A
  • Contenitore dispositivo fornitore
    TS-1
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    500ns
  • imballaggio
    Tape & Box (TB)
  • Contenitore / involucro
    T-18, Axial
  • Altri nomi
    F1T7G A0G-ND
    F1T7GA0G
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Through Hole
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    14 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 1A Through Hole TS-1
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 1000V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    1A
  • Capacità a Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz
F1T5GHA0G

F1T5GHA0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T7GHA1G

F1T7GHA1G

Descrizione: DIODE GEN PURP 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T6G R0G

F1T6G R0G

Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T6GHR0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T4GHA1G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T6G A1G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1

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F1T6GHA0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

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Descrizione: DIODE GEN PURP 600V 1A TS-1

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
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F1T5G R0G

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F1T7GHA0G

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Descrizione: DIODE GEN PURP 1A TS-1

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F1T5G A0G

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F1T5G A1G

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F1T7GHR0G

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F1T7G A1G

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