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Immagine HERAF808G C0G.

TSC (Taiwan Semiconductor)

HERAF808G C0G

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Specifiche

Modello di prodotti

HERAF808G C0G
Costruttore / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantità stock

In magazzino
Descrizione

DIODE GEN PURP 1KV 8A ITO220AC
Stato Lead senza piombo / RoHS

Senza piombo / RoHS conforme
Specifiche

HERAF808G C0G.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If

1.7V @ 8A
Tensione - inversa (Vr) (max)

1000V
Contenitore dispositivo fornitore

ITO-220AC
Velocità

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tempo di ripristino inverso (trr)

80ns
imballaggio

Tube
Contenitore / involucro

TO-220-2 Full Pack
Altri nomi

HERAF808G C0G-ND
HERAF808GC0G
Temperatura di funzionamento - Giunzione

-55°C ~ 150°C
Tipo montaggio

Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard

8 Weeks
Stato senza piombo / Stato RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo diodo

Standard
Descrizione dettagliata

Diode Standard 1000V 8A Through Hole ITO-220AC
Corrente - Dispersione inversa a Vr

10µA @ 1000V
Corrente - raddrizzata media (Io)

8A
Capacità a Vr, F

60pF @ 4V, 1MHz

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