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5807273Immagine RS1DLHRQG.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLHRQG

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Specifiche
  • Modello di prodotti
    RS1DLHRQG
  • Costruttore / Marca
  • Quantità stock
    In magazzino
  • Descrizione
    DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA
  • Stato Lead senza piombo / RoHS
    Senza piombo / RoHS conforme
  • Specifiche
  • Tensione - diretta (Vf) (max) a If
    1.3V @ 800mA
  • Tensione - inversa (Vr) (max)
    200V
  • Contenitore dispositivo fornitore
    Sub SMA
  • Velocità
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Tempo di ripristino inverso (trr)
    150ns
  • imballaggio
    Tape & Reel (TR)
  • Contenitore / involucro
    DO-219AB
  • Temperatura di funzionamento - Giunzione
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo montaggio
    Surface Mount
  • Moisture Sensitivity Level (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Produttore tempi di consegna standard
    21 Weeks
  • Stato senza piombo / Stato RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo diodo
    Standard
  • Descrizione dettagliata
    Diode Standard 200V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Corrente - Dispersione inversa a Vr
    5µA @ 200V
  • Corrente - raddrizzata media (Io)
    800mA
  • Capacità a Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
RS1DTR

RS1DTR

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Produttori: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
In magazzino
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Descrizione: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1DL RTG

RS1DL RTG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1DLHM2G

RS1DLHM2G

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DL RVG

RS1DL RVG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DL RUG

RS1DL RUG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Descrizione: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Produttori: LAPIS Semiconductor
In magazzino
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Descrizione: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Produttori: TSC (Taiwan Semiconductor)
In magazzino

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